BAS31212 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  BAS31212
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors BAS31212 Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: DUAL Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Technology: AVALANCHE Configuration: SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS Number of Elements: 2 Diode Element Material: SILICON Power Dissipation Limit-Max: 0.2500 W Diode Type: SIGNAL DIODE Reverse Recovery Time-Max: 0.0500 us Rep Pk Reverse Voltage-Max: 110 V
• Количество страниц
  5 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  135,92 KB

BAS31212 datasheet скачать

BAS31212 datasheet